Numărul de produs al producătorului:
TSM1NB60CP ROG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM1NB60CP ROG-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
8702 Piese Noi Originale În Stoc
12896941
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM1NB60CP ROG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
138 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TSM1NB60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM1NB60CP ROGCT-DG
TSM1NB60CP ROGDKR-DG
TSM1NB60CP ROGCT
TSM1NB60CPROGDKR
TSM1NB60CP ROGTR-DG
TSM1NB60CPROGCT
TSM1NB60CP ROGTR
TSM1NB60CPROGTR
TSM1NB60CP ROGDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM2NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
TSM900N10CH X0G
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
TSM2308CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
